UCC28C56HQDRQ1器件為高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動各種應用中的 Si 和 SiC MOSFET。

VDD 絕對最大額定電壓從 20V 增加至 30V，便于以理想方式驅(qū)動 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的柵極，同時可無需使用外部 LDO。

規(guī)格

輸出類型： 晶體管驅(qū)動器  

功能：升壓，降壓，升壓/降壓  

輸出配置： 正  

拓撲： 升壓，降壓，反激，正激，SEPIC

輸出數(shù)： 1  

輸出階段： 1  

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：15.5V ~ 28V

頻率 - 開關： 1MHz  

占空比（最大）： 100%  

同步整流器： 無  

時鐘同步： 是  

串行接口： -  

控制特性： 限流，空載時間控制，頻率控制，斜坡，軟啟動

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型：表面貼裝型  

封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）  

供應商器件封裝： 8-SOIC

應用

牽引逆變器高壓轉(zhuǎn)低壓備用電源

OBC 和直流/直流轉(zhuǎn)換器隔離式偏置電源

HVAC 壓縮機高壓隔離式電源

交流和直流 EV 充電設備中的單端直流轉(zhuǎn)換器

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