STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。該器件完全符合工業(yè)級標準。STL320N4LF8可降低導通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體漏極二極管特性。該MOSFET節(jié)能，確保電源轉(zhuǎn)換和電機控制電路中的噪聲低。

屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 360 A

Rds On-漏源導通電阻: 800 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 43 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

應用

開關(guān)應用

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