IMT65R039M1HXUMA1 CoolSiC? 650V MOSFET將碳化硅的物理強度與放大器件性能、可靠性和易用性相結合。  憑借其最先進的溝槽半導體工藝，CoolSiC? MOSFET在應用中提供最低的損耗，在操作中提供最高的可靠性。CoolSiC非常適合在高溫和惡劣環(huán)境應用中使用。

特性

?優(yōu)化了高電流下的開關行為

?換向堅固耐用的快體二極管，QF低

?優(yōu)越的氧化物可靠性

?TJ，Max=175°CanExcellentThermalBehavior

?較低的RDS（開啟）和PUL安全性對溫度的依賴性

?提高雪崩能力

?兼容標準驅動器（推薦驅動電壓：0V-18V）

?KelvinSource提供高達4倍的低開關損耗

應用

?SMPS

?UPS（不間斷電源）

?太陽能光伏逆變器

?EV充電基礎設施

?儲能和電池形成

?D類放大器

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