英飛凌 650 V CoolMOS? CFD7 超結(jié) MOSFET IPL65R200CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封裝，尤為適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如服務(wù)器、電信、太陽能及電動汽車充電站，其效率相較于競品有了大幅度的提高。

產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VSON-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 200 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 81 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 5 ns

濕度敏感性: Yes

上升時間: 6.5 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 14 ns

典型接通延遲時間: 70 ns

潛在應(yīng)用

電動汽車快速充電

服務(wù)器電源

太陽能系統(tǒng)解決方案

電信基礎(chǔ)設(shè)施

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。