IPTG014N10NM5 采用 TOLG 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 具有更高的板上溫度循環(huán)性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 37A（Ta），366A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.4 毫歐 @ 150A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 280μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 211 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF @ 50 V  

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），375W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-HSOG-8-1  

封裝/外殼： 8-PowerSMD，鷗翼

優(yōu)勢

高性能能力

系統(tǒng)可靠性高

高效率和低電磁干擾

優(yōu)化電路板利用率

板上溫度循環(huán)性能高

產(chǎn)品應(yīng)用

電動踏板車

輕型電動車

電動工具

電池管理系統(tǒng)

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