商品名稱：IPTC019N10NM5
數據手冊：
IPTC019N10NM5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：16-PowerSOP 模塊
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
IPTC019N10NM5 是 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 的一部分，采用 TOLT 封裝：TO 引線頂部側冷式封裝，具有卓越的散熱性能。 這種創(chuàng)新型封裝與 OptiMOS? 5 技術的關鍵特性相結合，可提供 100 V 的同類最佳產品，以及大于 300 A 的高額定電流，適用于高功率密度設計。
特性概述
低 RDS(on)
高額定電流 >300 A
頂部冷卻
負極隔離
無錫外露焊盤
優(yōu)勢
提高系統效率，延長電池壽命
高功率密度
優(yōu)異的散熱性能
節(jié)省冷卻系統
散熱器熱阻最小
潛在應用
電動工具
輕型電動汽車
電池管理系統
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是（Infineon）推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有 72 A 電流，主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效，可提高系統的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術：MOSFET…
ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是（Infineon）推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。以下是其關鍵參數：FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），…
IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。以下是其核心特性：針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…
IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現了設計靈活性。該設備具有很高的能效，可提高系統的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅動器、電池供電設…
IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據超級結（SJ）原理設計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，具有低開關和導通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性，可實現快速設計導入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術，可簡化熱管理。此外，IPT65R025CM8符合RoHS標準，且…電話咨詢：86-755-83294757
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