商品名稱：IKW75N65ET7
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
IKW75N65ET7.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
IKW75N65ET7 采用TO-247封裝并帶有反并聯(lián)二極管的650 V, 75 A IGBT。
特征描述
非常低的VCEsat
低關(guān)斷損耗
拖尾電流小
降低EMI
防潮設(shè)計(jì)
非常軟的快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管
最大結(jié)溫175°C
針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)要求
無(wú)鉛；符合RoHS規(guī)范
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén)，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是（Infineon）推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有 72 A 電流，主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET…
ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是（Infineon）推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），…
IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性：針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…
IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…
IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)（SJ）原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性，可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù)，可簡(jiǎn)化熱管理。此外，IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，且…電話咨詢：86-755-83294757
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