IKWH75N65EH7 硬開關650V TrenchStop?IGBT7 H7分立式器件采用TO-247-3高爬電間隙（HCC）封裝技術，旨在滿足綠色高效能源應用的需求，同時在前代產(chǎn)品的基礎上進行了重大改進。

規(guī)格

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A

Pd-功率耗散: 341 W

最小工作溫度: - 40°C

最大工作溫度: + 175°C

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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