NOIX5SN5000B-LTI1包括一個(gè)擺率控制的低阻抗 MOSFET 開關(guān)（典型值為 21 mΩ），具有其他集成的模擬特性。擺率控制開啟特性可防止涌入電流以及在電源軌上產(chǎn)生過大的電壓降。此器件具有卓越低關(guān)斷漏電流（最大值 <1 μA），簡化了極低電機(jī)功率應(yīng)用中的合規(guī)性。輸入電壓范圍為 1.2 V 至 5.5 VDC，可滿足消費(fèi)品、光學(xué)、醫(yī)學(xué)、存儲、移動和工業(yè)設(shè)備電源管理中的多種應(yīng)用。

特征

● 1.2至5.5V輸入電壓工作范圍

● 典型值RDS(ON)：20mΩ (VIN=5.5V)、21mΩ (VIN=4.5V)、37mΩ (VIN=1.8V)、75mΩ (VIN=1.2V)

● 壓擺率/浪涌控制，tR： 2.7ms（典型值）

● 3A最大連續(xù)電流容量

● FPF1039上的輸出放電功能

● 低<1μA靜態(tài)電流

● ESD保護(hù)： 超過8kV HBM和1.5kV CDM的靜電保護(hù)

● 兼容GPIO/CMOS的使能電路

應(yīng)用

● 存儲和外設(shè)

● 其他有線通信

● 手機(jī)

● WLAN網(wǎng)卡和寬帶接入

● 多媒體平板電腦

● PMP/MP3播放器

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