英飛凌推出最新的 OptiMOS?6 40V 功率 MOS 技術(shù)，采用 5x6mm2 SS08 無引線封裝，具有最高的質(zhì)量水平和堅固性，適用于汽車應(yīng)用。

所有這一切都使產(chǎn)品的 FOM（RDSon x Qg）和性能成為市場上同類產(chǎn)品中的佼佼者。新型 SS08 產(chǎn)品的額定連續(xù)電流為 120A，比標(biāo)準(zhǔn) DPAK 高出 25%，而占地面積幾乎只有標(biāo)準(zhǔn) DPAK 的一半。

此外，新一代 SS08 封裝采用新型銅夾互連技術(shù)，具有極低的封裝電感（與 DPAK、D2PAK 等傳統(tǒng)封裝相比，封裝電感降低了 ≈4 倍），因此開關(guān)性能和 EMI 性能更出色。

功能概述

OptiMOSTM - 用于汽車應(yīng)用的功率 MOSFET

N 溝道 - 增強模式 - 正常電平

通過 AEC Q101 認(rèn)證

MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260°C

175°C 工作溫度

綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 規(guī)范）

100% 通過雪崩測試

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 100A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.55 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3V @ 50μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 55 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 3470 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 100W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型：表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TDSON-8  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

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