125mΩ IPDQ65R125CFD7A 采用 QDPAK 頂部冷卻 SMD 封裝，是通過汽車認(rèn)證的 650 V CoolMOS? SJ 功率 MOSFET CFD7A 產(chǎn)品系列的一部分。與上一代產(chǎn)品相比，CoolMOS? CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同時(shí)提高了設(shè)計(jì)靈活性。頂部冷卻進(jìn)一步提高了功率密度，降低了寄生源電感，并配備了開爾文源引腳和3.2 毫米爬電距離。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 7.8A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 390μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1566 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：160W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HDSOP-22-1

封裝/外殼：22-PowerBSOP 模塊

應(yīng)用

● 板載充電器

● HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器

● 輔助電源

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