ISZ56DP15LM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設(shè)計人員提供一個新選項，以便在優(yōu)化性能的同時簡化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點是降低了中低功耗應(yīng)用中的設(shè)計復(fù)雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1.35A（Ta），6.7A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：560 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 724μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1400 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），62.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應(yīng)用

● 電池保護

● 反極性保護

● 線性電池充電器

● 負載開關(guān)

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 低壓驅(qū)動

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