IPD60R170CFD7功率MOSFET可滿足電動汽車應用的要求，例如車載充電器、HV-LV直流-直流轉換器和輔助電源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙輻射穩(wěn)健性，因此可以在可靠性與前幾代產(chǎn)品和其他市場產(chǎn)品相當?shù)那闆r下耐受更高的電池電壓。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可確保硬開關和諧振開關拓撲的高效率，特別是在輕負載條件下。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：170 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 300μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1199 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：76W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

應用

● 車載充電器

● HV-LV直流-直流轉換器

● 輔助電源

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