IPT60R065S7功率MOSFET可為低頻開關應用提供最佳性價比。CoolMOS S7具有最低HV SJ MOSFET RDS(on) 值，能效顯著提高。CoolMOS S7優(yōu)化用于”靜態(tài)開關”和大電流應用。它非常適合用于固態(tài)繼電器、斷路器設計以及SMPS和逆變器拓撲結構的線路整流。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 8A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 490μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 12 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1932 pF @ 300 V

功率耗散（最大值）：167W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HSOF-8-2

封裝/外殼：8-PowerSFN

應用

● 固態(tài)繼電器和斷路器

● 大功率/高性能應用（計算、電信、UPS和太陽能）中的線路整流

● 二極管橋接并聯(lián)/替換，用于大功率/高性能應用（計算、電信、UPS和太陽能）中的線路整流

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