商品名稱：NVG600A75L4DSC2
數(shù)據(jù)手冊：
NVG600A75L4DSC2.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：模塊
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1200 件
NVG600A75L4DSC2 屬于雙側冷卻、緊湊型功率模塊系列，適用于混合動力 (HEV) 和電動汽車 (EV) 牽引逆變器應用。
產品特性
雙側冷卻
集成芯片級溫度和電流傳感器
連續(xù)工作時 Tvj 最大值 = 175°C
低磁盤電感
低傳導和開關損耗
汽車級
4.2 kV 隔離 DBC 基底面
通過 AEC 認證并可實現(xiàn) PPAP
該器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范
典型應用
混合動力和電動汽車牽引逆變器
大功率 DC-DC 升壓轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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