S25FL064LABMFV001是一款采用 65 nm 浮柵工藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。

FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令，用于傳送地址和在時(shí)鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁面編程緩沖區(qū)，允許在一個(gè)操作中編程達(dá)256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨(dú)4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個(gè)芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動(dòng)或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。

該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲解決方案。此外，該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品規(guī)格

系列： FL-L  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： 閃存  

技術(shù)： FLASH - NOR  

存儲容量： 64Mbit  

存儲器組織： 8M x 8  

存儲器接口： SPI - 四 I/O，QPI  

時(shí)鐘頻率： 108 MHz  

電壓 - 供電： 2.7V ~ 3.6V  

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安裝類型：表面貼裝型  

封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）  

供應(yīng)商器件封裝： 16-SOIC

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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