商品名稱：STGF4M65DF2
數據手冊：
STGF4M65DF2.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：TO-220FP
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
STGF4M65DF2 650V IGBT是采用先進的專有溝槽柵極場截止結構開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。
產品屬性
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：16 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值：23 W
開關能量：40μJ（開），136μJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：15.2 nC
25°C 時 Td（開/關）值：12ns/86ns
測試條件：400V，4A，47 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)：133 ns
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應商器件封裝：TO-220FP
基本產品編號：STGF4
型號
品牌
封裝
數量
描述
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