2ED2104S06F 是一款高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具有獨立的高低端基準(zhǔn)輸出通道?；贗nfineon 的SOI技術(shù)，具有出色的耐用性和抗擾度，能夠在VS引腳（VCC=15 V）上的負電壓高達-11 VDC的瞬態(tài)電壓下保持操作邏輯。該器件設(shè)計用于最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。浮動溝道可用于驅(qū)動高端配置中的N溝道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作電壓高達650V。

產(chǎn)品屬性

驅(qū)動配置：半橋

通道類型：獨立式

驅(qū)動器數(shù)：2

柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：10V ~ 20V

邏輯電壓 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：650 V

上升/下降時間（典型值）：70ns，35ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8-69

基本產(chǎn)品編號：2ED2104

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