2ED21094S06J 低電流650V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)有集成式自舉二極管，采用DSO-14封裝。該低電流0.7A驅(qū)動(dòng)器基于絕緣體上硅 (SOI) 技術(shù)。SOI技術(shù)是一種高電壓、電平移位技術(shù)，具有獨(dú)特、可衡量以及業(yè)內(nèi)最佳的優(yōu)勢(shì)。其中包括集成式自舉二極管 (BSD) 和業(yè)界最佳的穩(wěn)健性，可防止負(fù)瞬態(tài)電壓尖峰。該技術(shù)還可以降低電平轉(zhuǎn)換功率損耗，從而最大限度地降低器件開(kāi)關(guān)功耗。

產(chǎn)品屬性

驅(qū)動(dòng)配置：半橋

通道類(lèi)型：同步

驅(qū)動(dòng)器數(shù)：1

柵極類(lèi)型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：10V ~ 20V

邏輯電壓 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

輸入類(lèi)型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：650 V

上升/下降時(shí)間（典型值）：100ns，35ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

封裝/外殼：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-14-49

基本產(chǎn)品編號(hào)：2ED21094

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