STH10N80K5-2AG 超高電壓N溝道功率MOSFET采用基于創(chuàng)新專有垂直結(jié)構(gòu)的MDMESH K5技術(shù)設計而成，適用于需要出色功率密度和高效率的應用。該器件導通電阻顯著降低，柵極電荷極低。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：680 毫歐 @ 4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：17.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：426 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：121W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：H2Pak-2

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

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