STB16N90K5 超高電壓（900V）N溝道功率MOSFET采用基于創(chuàng)新專有垂直結構的MDMESH K5技術設計而成，適用于需要出色功率密度和高效率的應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：330 毫歐 @ 7.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29.7 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1027 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263（D2PAK）

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

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