STL26NM60N是采用第二代MDMESH?技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。這款革命性的功率MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與該公司的條形布局相結(jié)合，以產(chǎn)生世界上最低的導通電阻和柵極電荷。因此，它適用于要求最高的高效率轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.7A（Ta），19A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：185 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：125mW（Ta），3W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerFlat?（8x8）HV

封裝/外殼：8-PowerVDFN

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