NVMFS6H848NLT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)，具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：13A（Ta），59A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 8.8 毫歐 @ 10A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2V @ 70μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 25 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），73W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級(jí)： 汽車級(jí)  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線 

應(yīng)用

開關(guān)電源

電源開關(guān)（高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、H 橋等）

48V 系統(tǒng)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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