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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:NP30N06QDK-E1-AY

商品名稱:MOSFET 晶體管

品牌:Renesas

年份:24+

封裝:HSON-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Renesas
型號
NP30N06QDK-E1-AY
封裝
HSON-8
描述
60V、30A 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

NP30N06QDK-E1-AY - 60V、30A 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管


產(chǎn)品概覽

NP30N06QDK-E1-AY 是一款雙 N 溝道 MOS 場效應(yīng)晶體管,設(shè)計(jì)用于大電流開關(guān)應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: HSON-8  

晶體管極性: N-通道

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 14 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V  

Qg-柵極電荷: 25 nC  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 59 W  

通道模式:增強(qiáng)型


產(chǎn)品特性

超低導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V,ID = 15 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V,ID = 7.5 A)

低 Ciss: Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V)

專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì),通過 AEC-Q101 認(rèn)證

小尺寸封裝 8 引腳 HSON 雙通道


應(yīng)用

高度集成的 100W USB-PD 充電器

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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Renesas

Renesas

瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…

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