CY15V116QN-40BKXI 是一款低功耗 16Mb 非易失性串行鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 集成電路。該存儲器陣列的邏輯組織形式為 1,048,576 × 8 位，可使用工業(yè)標準串行外設(shè)接口 (SPI) 總線進行訪問。F-RAM 的功能操作類似于串行閃存和串行 EEPROM。CY15B116QN 采用高速 SPI 總線，增強了 F-RAM 技術(shù)的高速寫入能力。

主要特性

- 16-Mb 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 2048K × 8

- 快速串行外設(shè)接口 (SPI)

- 頻率高達 40 MHz

- 支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）

- 專用的 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM

- 專用特殊扇區(qū)寫入和讀取

- 存儲內(nèi)容可在三個標準回流焊接周期內(nèi)正常運行

- 低功耗

- 40 MHz 時 2.7 mA（典型值）工作電流

- 14 μA（典型值）待機電流

- 1.10 μA（典型值 深度掉電模式電流

- 0.1 μA（典型值）休眠模式電流

- 低壓工作 - VDD = 1.71 V 至 1.89 V

- 工業(yè)工作溫度：-40°C 至 +85°C

- 封裝 24 球精細間距球柵陣列（24 球 FBGA）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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