Qorvo QPD2080D 800μm 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，QPD2080D的輸出功率為29.5dBm（P1dB時），增益為11.5dB，功率附加效率為56%（1dB壓縮時）。

QPD2080D設計采用0.25μm功率pHEMT生產(chǎn)工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。

功能

頻率范圍：直流至20GHz

P1dB輸出功率：29.5dBm（典型值）

增益：11.5dB（12GHz時典型值）

PAE：56%（12GHz時典型值）

噪聲系數(shù)：1dB（12GHz時典型值）

漏極電壓：8V

漏極電流：130mA

0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)

裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm

無鹵、無鉛、符合RoHS指令

應用

通信

雷達

點對點無線電

衛(wèi)星通信

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