英飛凌 IMBG40R036M2H—CoolSiC? MOSFET 400 V G2，采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封裝，36 mΩ

CoolSiC? MOSFET 400 V G2 將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。

其開發(fā)目的是在 2 級(jí)和 3 級(jí)硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。

適用于人工智能服務(wù)器 PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及 D 類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。

優(yōu)勢(shì)

系統(tǒng)效率高

高功率密度設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)穩(wěn)健性高

減少 EMI 濾波

可用于硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

特性描述

與 650 V SiC MOSFET 相比，具有更好的 FOM

具有低 Qfr 的快速換向穩(wěn)健二極管

低 RDS（導(dǎo)通）溫度依賴性

柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5 V

支持單極驅(qū)動(dòng)（VGSoff=0）

100% 通過雪崩測(cè)試

開關(guān)速度可控性高

高 dV/dt 工作期間過沖小

.XT 互連技術(shù)

一流的熱性能

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。