A5G23H110NT4概述：

這款13.8W非對稱Doherty GaN射頻功率放大器專為2300到2400MHz頻率且需要寬瞬時帶寬的移動通信基站應用而設計。

該部件的特征參數(shù)和性能適用于運行在2300–2400MHz頻段的應用。如果將該部件用于工作頻率超出該范圍的應用，則無法保證其性能。

A5G23H110NT4特性：

高終端阻抗，支持出色的寬帶性能

利用新一代信號改進線性化誤差矢量幅值

可承受極高的輸出VSWR和寬帶運行條件

適用于復雜度較低的線性化系統(tǒng)

優(yōu)化用于5G基站mMIMO有源天線系統(tǒng)

符合RoHS規(guī)范

A5G23H110NT4規(guī)格：

技術: GaN-on-Si

Vds-漏源極擊穿電壓: 125 V

工作頻率: 2.3 GHz to 2.4 GHz

增益: 16.2 dB

輸出功率: 13.8 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DFN-6

濕度敏感性: Yes

通道數(shù)量: 2 Channel

系列: A5G23H110N

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: MOSFETs

類型: RF Power MOSFET

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V

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