MD29HTC120P6HET 1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊 6 封裝。SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(on)和極高的阻斷電壓。它專為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車等應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

MD29HTC120P6HET

封裝：P6

額定電流：-

芯片類型：SIC

額定電壓：1200V

電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元

特征：PINFIN基板

特點(diǎn)

? SiC 功率 MOSFET

? 具有低 RDS（導(dǎo)通）的高阻塞電壓

? 易于并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單

? 低電感情況下避免振蕩

? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板

典型應(yīng)用

? 汽車應(yīng)用

? 混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車

? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)用逆變器

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