MSC2X50SDA120J 器件是配置2個獨立式的1200V,，50A SiC SBD器件，采用SOT-227封裝。與純硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介電擊穿場強(qiáng)、更高的帶隙和更高的熱導(dǎo)率。碳化硅肖特基二極管具有零正向和反向恢復(fù)電荷，可減少二極管的開關(guān)損耗。這些器件還設(shè)有溫度獨立開關(guān)，可確保穩(wěn)定的高溫性能。

產(chǎn)品規(guī)格：

二極管配置：2 個獨立式

技術(shù)：SiC（碳化硅）肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：50A（DC）

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 50 A

速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 1200 V

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227（ISOTOP?）

基本產(chǎn)品編號：MSC2X50

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