GS-065-014-6-LR-MR是增強模式硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，如獲得專利的Island Technology? 單元布局，實現(xiàn)了大電流裸芯和高產(chǎn)量。

GS-065-014-6-LR-MR功率晶體管采用底部冷卻PDFN封裝。這些功率晶體管具有非常低的結(jié)殼熱阻，因此非常適合用于要求苛刻的大功率應(yīng)用。

GS-065-014-6-LR-MR產(chǎn)品屬性：

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PDFN-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 700 V

Id-連續(xù)漏極電流: 15.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 38 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 7 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.6 V

Qg-柵極電荷: 2.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 5 ns

最大工作頻率: > 1 MHz

最小工作頻率: 0 Hz

上升時間: 5 ns

技術(shù): GaN-on-Si

典型關(guān)閉延遲時間: 6 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

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