IQDH35N03LM5SC（N-通道功率 MOSFET 晶體管）：OptiMOS? 功率 MOSFET 30V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。

概述：

IQDH35N03LM5SC - 功率 MOSFET 晶體管，具有 0.35 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

IQDH35N03LM5SC 優(yōu)勢：

傳導(dǎo)損耗最小

降低電壓過沖

提高最大電流能力

快速開關(guān)

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

散熱性能提高

易于熱管理

最佳開關(guān)性能

行業(yè)標準封裝

IQDH35N03LM5SC - 產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：66A（Ta），700A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.35 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.46mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：114 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：18000 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHSON-8-U02

封裝/外殼：8-PowerWDFN

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