S28HS02GTFPBHV153是英飛凌的 SEMPER? NOR 閃存產(chǎn)品。它專為汽車應(yīng)用而設(shè)計，接口帶寬為 333 MByte/s，工作電壓為 1.8V。它采用八進(jìn)制接口和 PG-BGA-24 封裝，密度為 2 Gbit。該器件符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)，利用英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)在每個存儲器陣列單元中存儲兩個數(shù)據(jù)位。

主要特點和介紹：

存儲容量： 提供2GB（256M x 8）的存儲容量，適合需要較大存儲空間的應(yīng)用。

電壓供應(yīng)：該芯片支持3.3V的供電電壓，適用于多種電子系統(tǒng)。

接口類型：采用HyperBus? 接口，這是一種高性能的總線接口，支持DDR操作模式，提供高達(dá)400MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。

時鐘頻率：支持高達(dá)200MHz的時鐘頻率（1.8V/3.0V VCC），實現(xiàn)雙數(shù)據(jù)速率（DDR）操作，即每個時鐘周期可以進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸。

封裝類型：采用5 x 5 mm的24-Ball FBGA封裝，這種封裝提供了緊湊的尺寸和高引腳密度，適合空間受限的應(yīng)用。

應(yīng)用場景：NOR 閃存因其快速的讀取速度和隨機訪問能力，通常被用于存儲固件、操作系統(tǒng)、啟動代碼以及其他需要快速訪問的數(shù)據(jù)。

非易失性存儲：作為非易失性存儲器，S28HS02GTFPBHV153 在斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失，適合用于需要數(shù)據(jù)持久化的應(yīng)用。

編程和擦除：NOR 閃存通常需要按塊進(jìn)行寫入和擦除，這限制了其在頻繁寫入操作中的應(yīng)用，但對于大多數(shù)固件存儲和代碼存儲應(yīng)用來說，這不是問題。

S28HS02GTFPBHV153 以其較大的存儲容量、高速接口和非易失性特性，適用于多種嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用，尤其是在需要快速啟動和數(shù)據(jù)快速讀取的場景中。

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