集成電路芯片SCT3080ALGC11單場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET晶體管 TO-247-3

產(chǎn)品介紹

SCT3080ALGC11是N溝道SiC功率MOSFET 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) 晶體管通孔TO-247N。

產(chǎn)品屬性

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個(gè)通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：650 V

Id - 連續(xù)漏極電流：30 A

Rds On - 漏極-源極電阻：80 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 4 V，+ 22 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2.7 V

Qg - 柵極電荷： 48 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 175 C

Pd - 功率耗散： 134 W

通道模式： 增強(qiáng)型

特點(diǎn)

47ns的典型上升時(shí)間

73ns的典型關(guān)機(jī)延遲時(shí)間

35ns典型的下降時(shí)間

-55℃至+150℃的工作溫度范圍

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