EP4CGX50CF23C7N 基于 1.5V、0.13um、全層銅 SRAM 工藝，密度高達 20,060 邏輯元件 (LE)，RAM 高達 288 Kbits。

產(chǎn)品屬性

LAB/CLB 數(shù)量： 3118

邏輯元件/單元數(shù)：49888

總 RAM 位數(shù) 2562048

I/O 數(shù)量： 290

電壓 - 電源 1.16V ~ 1.24V

安裝類型 表面貼裝

工作溫度： 0°C ~ 85°C (TJ)

封裝/外殼：484-BGA

供應商器件封裝：484-FBGA (23x23)

產(chǎn)品特性

2,910 至 20,060 個 LE

多達 294,912 個 RAM 位（36,864 字節(jié)）

支持通過低成本串行配置器件進行配置

支持 LVTTL、LVCMOS、SSTL-2 和 SSTL-3 I/O 標準

支持 66 MHz、32 位 PCI 標準

支持低速（311 Mbps）LVDS 輸入/輸出

每個設備最多兩個 PLL，提供時鐘倍增和相移功能

每個邏輯陣列塊 (LAB) 行最多有八條全局時鐘線和六個可用時鐘資源

支持外部存儲器，包括 DDR SDRAM (133MHz)、FCRAM 和單數(shù)據(jù)速率 (SDR) SDRAM

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