IS62WV51216BLL-55TLI 是高速、8M 位靜態(tài) RAM，以 16 位、512K 字組織。它采用 ISSI 的高性能 CMOS 技術制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的器件。

技術參數(shù)

存儲器類型：易失

存儲器格式：SRAM

技術：SRAM - 異步

存儲容量：8Mb

存儲器組織：512K x 16

存儲器接口：并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁：55ns

訪問時間：55 ns

電壓 - 供電：2.5V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：44-TSOP

應用領域

IS62WV51216BLL-55TLI適用于各種需要高速數(shù)據(jù)傳輸和低功耗的設備，如智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等電子產品。其高性能和低功耗的特性使其在這些應用中表現(xiàn)出色，能夠滿足現(xiàn)代電子設備對存儲性能和電池壽命的高要求。

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