IKW40N65ES5 650V 中速開關(guān)IGBT是L5和H5之間的鏈路以及10kHz和40kHz之間切換的地址應用。IGBT具有高效率，更快上市時間周期，降低了電路設(shè)計復雜性并優(yōu)化了PCB物料清單成本。S5封裝的特性有助于設(shè)計人員實現(xiàn)目標，而無需增加電路復雜性。

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：溝道

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：79 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，40A

功率 - 最大值：230 W

開關(guān)能量：860μJ（開），400μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：95 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：19ns/130ns

測試條件：400V，40A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：73 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商器件封裝：PG-TO247-3

基本產(chǎn)品編號：IKW40N65

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