IGB50N65S5ATMA1 650V 中速開關IGBT是L5和H5之間的鏈路以及10kHz和40kHz之間切換的地址應用。IGBT具有高效率，更快上市時間周期，降低了電路設計復雜性并優(yōu)化了PCB物料清單成本。TRENCHSTOP? 5 S5封裝的特性有助于設計人員實現(xiàn)目標，而無需增加電路復雜性。

產品規(guī)格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：200 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，50A

功率 - 最大值：270 W

開關能量：1.23mJ（開），740μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：120 nC

25°C 時 Td（開/關）值：20ns/139ns

測試條件：400V，50A，8.2 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-3

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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