RBA500N10EHWT-2UA01 N 溝道 MOSFET 場效應(yīng)晶體管專為大電流開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。REXFET-1 100V 技術(shù)采用分離柵極結(jié)構(gòu)，可提供低導(dǎo)通電阻。 它減少了電容和柵極電荷，以實現(xiàn)更高效的開關(guān)。 得益于該技術(shù)，MOSFET可實現(xiàn)高開關(guān)速度和低功耗，從而提高能源效率。 此外，RBA500N10EHWT-2UA01還增強了耐用性和可靠性，使其適用于汽車應(yīng)用，如電源管理系統(tǒng)、電機控制和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

核心特征

標準電平柵極驅(qū)動電壓：VGS（th） = 2.0V ~ 4.0V

超低導(dǎo)通電阻：RDS（on） = 0.65mΩ （最大值）

低輸入電容

專為汽車應(yīng)用而設(shè)計，符合 AEC-Q101（HTRB、HTGB）標準

核心規(guī)格

耐壓值?：100V?

最大電流?：500A

導(dǎo)通電阻?：0.65mΩ（最大值）

柵極電壓?：2.0~4.0V（標準驅(qū)動電壓）

RBA500N10EHWT-2UA01功率器件通過優(yōu)化開關(guān)特性與低導(dǎo)通損耗，可降低整體系統(tǒng)成本并提升能效，適用于高壓大電流場景。 ?

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