onsemi 的UG4SC075006K4S“Combo-FET”將 750 V SiC JFET 和低壓 Si MOSFET 集成到單個 TO247-4 封裝中。這種創(chuàng)新方法允許用戶創(chuàng)建電路，以實現(xiàn)常斷開關，同時利用常導 SiC JFET 的優(yōu)勢。這些優(yōu)點包括超低導通電阻 （RDS（on）） 以最大限度地減少傳導損耗，以及簡化的 JFET 器件結(jié)構(gòu)的卓越魯棒性特性，使其能夠處理電路保護應用中所需的高能開關。對于開關模式電源轉(zhuǎn)換應用，UG4SC075006K4S提供對 JFET 和 MOSFET 柵極的單獨訪問，以改進速度控制并輕松并聯(lián)多個器件。

主要規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.5 毫歐 @ 80A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 180mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：164 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8374 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：714W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-4

典型應用

? 固態(tài)/半導體斷路器

? 固態(tài)/半導體繼電器

? 電池斷開

? 電涌保護

? 浪涌電流控制

? 大功率開關模式轉(zhuǎn)換器 （>25 kW）

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