商品名稱：汽車 MOSFET
品牌：INFINEON
年份：25+
封裝：PG-TO252-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
IPD50N10S3L-16【Infineon】100V、OptiMOS?-T 汽車MOSFET晶體管，PG-TO252-3
以下是關于IPD50N10S3L-16 的產(chǎn)品詳情：
型號：IPD50N10S3L-16
封裝：PG-TO252-3
類型：汽車MOSFET晶體管
IPD50N10S3L-16 產(chǎn)品屬性：
系列：OptiMOS?-T
ID (@25°C) max：50 A
IDpuls max：200 A
Ptot max：100 W
最大 QG (typ @10V) ：64 nC
QG (typ @10V) ︰49 nC
RDS (on) (@10V) max：15 mΩ
最大 RthJC：1. 5 K/W
最大 VDS：100 V
VGS(th)：1.7 V
封裝：DPAK (PG-TO252-3)
工作溫度：-55 °C 至 175 °C
IPD50N10S3L-16 產(chǎn)品特性：
N溝道 - 增強模式
符合汽車 AEC Q101 標準
MSL1 最高回流溫度可達 260°C 峰值
工作溫度為 175°C
100% Avalanche 測試
支持 PPAP 的設備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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IPB120N06S4-03：60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管，PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…
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IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V，78 mΩ G2，采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關器件正引領冷卻技術、能效、設計靈活性及性能的…
IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V，7 mΩ G2，采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關器件正引領冷卻技術、能效、設計靈活性及性能的…電話咨詢：86-755-83294757
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