BSZ018N04LS6 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET，屬于英飛凌 OptiMOS? 6 系列。該器件采用 TSDSON-8(3.3x3.3) 封裝，具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓和快速開關(guān)速度等特點，適用于多種應(yīng)用場景。

BSZ018N04LS6 技術(shù)規(guī)格

漏極-源極耐壓 (VDS)：40V

連續(xù)漏極電流 (ID)：18A（典型值），20A（最大值）

導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：18mΩ（典型值），25mΩ（最大值）

柵極-源極電壓 (VGS)：±20V

柵極電荷 (Qg)：13nC（典型值），18nC（最大值）

輸入電容 (Ciss)：150pF（典型值），200pF（最大值）

輸出電容 (Coss)：100pF（典型值），150pF（最大值）

工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

?專為同步整流優(yōu)化

?極低導(dǎo)通電阻RDS(on)

?100%雪崩測試通過

?卓越的耐熱性

?N溝道

?無鉛引線鍍層；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

?符合IEC61249-2-21標(biāo)準(zhǔn)的無鹵設(shè)計

?額定溫度175°C

應(yīng)用

?適配器與充電器

?48伏中間母線轉(zhuǎn)換器（IBC）

?電信基礎(chǔ)設(shè)施

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