STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。這款革命性功率MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與公司條帶布局相結(jié)合，實現(xiàn)了全球最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷之一，因此適用于要求最嚴(yán)苛的高效轉(zhuǎn)換器。

STD10NM60N 功能

100%雪崩測試

低輸入電容與柵極電荷

低柵極輸入電阻

STD10NM60N 參數(shù)

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 10 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 550 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 19 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: MDmesh

STD10NM60N 應(yīng)用

? 開關(guān)應(yīng)用

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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