明佳達電子有限公司推出東芝《TK10A80E》MOSFET 硅 N 溝道 MOS (π-MOSVIII) 質(zhì)量保證 全新原裝制造商： Toshiba Semiconductor and Storage 產(chǎn)品編號： TK10A80E描述： MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS 年份：新23+詳細描述： 通孔 N 通道 800 V 10A（Ta） 50W（Tc） …
明佳達電子有限公司推出東芝《TK10A80E》MOSFET 硅 N 溝道 MOS (π-MOSVIII) 質(zhì)量保證 全新原裝
制造商： Toshiba Semiconductor and Storage
產(chǎn)品編號： TK10A80E
描述： MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
年份：新23+
詳細描述： 通孔 N 通道 800 V 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
特點
(1) 低漏極-源極導(dǎo)通電阻： RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）
(2) 低漏電流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 640 V）
(3) 增強模式： Vth = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
應(yīng)用
開關(guān)穩(wěn)壓器
如有興趣，請致電聯(lián)系陳先生：
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