最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求（MXIC/旺宏電子）MX60LF8G28AD-TI 3V, 8Gb NAND Flash (SLC) 存儲(chǔ)器 IC 48TSOP。描述：MX60LF8G28AD是一款8GB SLC NAND閃存設(shè)備。其標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存特性和典型P/E周期60K（帶主機(jī)ECC）的可靠質(zhì)量，使其最適合嵌入式系統(tǒng)代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供求（MXIC/旺宏電子）MX60LF8G28AD-TI 3V, 8Gb NAND Flash (SLC) 存儲(chǔ)器 IC 48TSOP。
描述：
MX60LF8G28AD是一款8GB SLC NAND閃存設(shè)備。其標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存特性和典型P/E周期60K（帶主機(jī)ECC）的可靠質(zhì)量，使其最適合嵌入式系統(tǒng)代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
該產(chǎn)品系列每（512+32）B需要8位ECC。
MX60LF8G28AD通常以4,352字節(jié)的頁(yè)面訪問(wèn)，用于讀取和編程操作。
MX60LF8G28AD陣列組織為數(shù)千個(gè)塊，由64頁(yè)（4,096+256）字節(jié)組成。每個(gè)頁(yè)面具有用于ECC和其他目的的附加256字節(jié)。該器件具有一個(gè)4，352字節(jié)的片內(nèi)緩沖器，用于數(shù)據(jù)加載和訪問(wèn)。
MX60LF8G28AD的高速緩存讀取操作可實(shí)現(xiàn)25us的首字節(jié)讀取訪問(wèn)延遲和20ns的順序讀取，并且下一個(gè)順序頁(yè)面的延遲時(shí)間將從TR縮短到TRCBSY。該存儲(chǔ)器在所有操作模式（讀取/編程/擦除）下的功耗為30mA，在待機(jī)模式下為100uA。
MX60LF8G28AD-TI 技術(shù)參數(shù)：
存儲(chǔ)器類型：非易失
存儲(chǔ)器格式：閃存
技術(shù)：FLASH - NAND（SLC）
存儲(chǔ)容量：8Gb
存儲(chǔ)器組織：1G x 8
存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：700μs
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：48-TSOP
基本產(chǎn)品編號(hào)：MX60LF8
典型應(yīng)用
? 電視、機(jī)頂盒
? 數(shù)碼相機(jī)
? 工控機(jī)
? 工業(yè)系統(tǒng)
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