超結器件支持高額定功率和高密度，同時能夠降低傳導和開關損耗，從而提高效率今天Vishay宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導通電阻降低…
超結器件支持高額定功率和高密度，同時能夠降低傳導和開關損耗，從而提高效率
今天Vishay宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中650V MOSFET的重要優(yōu)值因數（FOM）降低了65.4 %。
Vishay推出了多種MOSFET技術，為電源轉換過程的所有階段提供支持，包括從高壓輸入到最新高科技設備所需的低壓輸出。憑借SiHK050N65E和Gen 4.5 650 V E系列中的其他器件，公司正在滿足電力系統(tǒng)架構的兩個早期階段中對改進效率和功率密度的需求，即功率因數校正（PFC）和后續(xù)的DC/DC轉換器模塊。典型的應用包括服務器、邊緣計算和超級計算機；UPS、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器；通信開關模式電源（SMPS）；太陽能逆變器；焊接設備；感應加熱系統(tǒng)；電動驅動和電池充電器。
SiHK050N65E基于Vishay最新的高能效E系列超結技術，能夠在10V下實現典型的低導通電阻為0.048 Ω，適合超過6kW的高功率應用。同時，650 V器件的擊穿電壓達到額外的50 V，使其可以在200 VAC至277 VAC的輸入電壓范圍內穩(wěn)定工作，并符合開放計算項目的開放機架V3（ORV3）標準。此外，MOSFET的超低柵極電荷僅為78 nC，提供了優(yōu)越的FOM值3.74 ?*nC，這對減少導通和開關損耗至關重要，從而進一步節(jié)省能源并提升效率。這使得器件能夠滿足服務器電源中特定的鈦效率要求，或者達到96 %的峰值效率。
為了在硬開關拓撲（如PFC電路和雙開關前饋設計）中優(yōu)化開關性能，日前發(fā)布的MOSFET具備較低的有效輸出電容值，Co(er)為167 pF，Co(tr)為1119 pF。器件在電阻乘以Co(er)的FOM上達到業(yè)界新低的8.0 ?*pF。SiHK050N65E以PowerPAK? 10 x 12封裝形式提供，并配備Kelvin連接以降低柵極噪聲，同時提高dv/dt的抗擾性。MOSFET符合RoHS標準而且無鹵素，經過特別設計以承受雪崩模式下的過壓瞬態(tài)，100%的UIS測試保證了其極限值。
SiHK050N65E現可提供樣品并已實現量產。欲了解供貨周期信息，請聯系您當地的銷售處。
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Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一，這些產品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設計至關重要。
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