深圳市明佳達電子有限公司供應和回收英飛凌科技分立半導體 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN? 600V柵極注入技術 (GIT) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 具有快速導通和關斷速度，開關損耗最小。介紹該系列GaN增強模式功率晶體管采用ThinPAK 5x6表面貼裝封裝，非常適合用于需要無需散…
深圳市明佳達電子有限公司供應和回收英飛凌科技分立半導體 IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN? 600V柵極注入技術 (GIT) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 具有快速導通和關斷速度，開關損耗最小。
介紹
該系列GaN增強模式功率晶體管采用ThinPAK 5x6表面貼裝封裝，非常適合用于需要無需散熱片的緊湊型器件的應用。英飛凌科技CoolGaN? 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2小尺寸和1mm薄型高度，因此非常適合用于實現(xiàn)高功率密度。
特性
增強模式晶體管，常關型開關
采用小尺寸無引線SMD封裝的GaN HEMT
GaN定制認證
超快開關速度
無反向恢復電荷
能夠反向導通
低柵極電荷、低輸出電荷
出色的換向耐受性
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
支持更高工作頻率
系統(tǒng)成本降低
降低EMI
符合JEDEC標準（JESD47和JESD22），適用于工業(yè)應用
無鉛、無鹵，符合RoHS指令
技術參數(shù)
產品種類: MOSFET
技術: GaN
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 3.2 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 55.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolGaN
系列: CoolGaN 600V
配置: Single
下降時間: 14 ns
上升時間: 12 ns
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
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