2025年5月21日，據(jù)外媒報道，全球半導(dǎo)體制造商Nexperia宣布推出一系列高效、堅固耐用的汽車級碳化硅（SiC）MOSFET，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）分別為30 mΩ、40 mΩ和60 mΩ。這些器件（NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q和NSF060120D7A0-Q）提供業(yè)界領(lǐng)先的性能系數(shù)（FoM），…
2025年5月21日，據(jù)外媒報道，全球半導(dǎo)體制造商Nexperia宣布推出一系列高效、堅固耐用的汽車級碳化硅（SiC）MOSFET，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）分別為30 mΩ、40 mΩ和60 mΩ。這些器件（NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q和NSF060120D7A0-Q）提供業(yè)界領(lǐng)先的性能系數(shù)（FoM），此前以工業(yè)級規(guī)格供應(yīng)，現(xiàn)已獲得AEC-Q101認證。這使得它們非常適合汽車應(yīng)用，例如電動汽車（EV）中的車載充電器（OBC）和牽引逆變器，以及直流-直流轉(zhuǎn)換器、暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC)。這些開關(guān)采用日益流行的表面貼裝D2PAK-7封裝，與通孔器件相比，這種封裝更適合自動化裝配操作。
RDS(on）是SiC MOSFET的一個關(guān)鍵性能參數(shù)，因為它會影響傳導(dǎo)損耗。然而，僅僅關(guān)注標(biāo)稱值會忽略一個事實：隨著器件工作溫度的升高，RDS(on）可能會增加100%以上，從而導(dǎo)致傳導(dǎo)損耗大幅上升。與通孔技術(shù)相比，采用SMD封裝技術(shù)時，由于器件通過PCB進行冷卻，溫度穩(wěn)定性更加重要。Nexperia認為這是限制許多現(xiàn)有SiC器件性能的一個因素，并利用其創(chuàng)新工藝技術(shù)的特性，確保其新型SiC MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25°C至175°C的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on）的標(biāo)稱值僅增加38%。這一特性使客戶能夠在應(yīng)用中實現(xiàn)更高的輸出功率，而Nexperia比其他供應(yīng)商的25°C額定RDS(on）更高，且性能絲毫不受影響。
“與其他供應(yīng)商類似額定RDS(on）的器件相比，此功能可使所選的Nexperia SiC MOSFET器件獲得更高的功率，從而在半導(dǎo)體層面為客戶帶來明顯的成本優(yōu)勢。此外，更寬松的冷卻要求、更緊湊的無源元件以及更高的可實現(xiàn)效率，使客戶在設(shè)計上擁有更大的自由度，并降低總體擁有成本。我們尤其高興這些產(chǎn)品現(xiàn)已面向汽車市場推出，其性能和效率優(yōu)勢將為下一代汽車設(shè)計帶來真正的改變。”高級副總裁兼寬帶隙、IGBT和模塊（WIM）業(yè)務(wù)部負責(zé)人Edoardo Merli表示。
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