最新資訊供求全新原裝?英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封裝，明佳達(dá)只做原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，實(shí)單有接受價(jià)可詳談，報(bào)價(jià)請(qǐng)以當(dāng)天為準(zhǔn)，歡迎聯(lián)系qq1668527835，電話13410018555?。。?/p>
供求全新原裝英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封裝，明佳達(dá)只做原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，實(shí)單有接受價(jià)可詳談，報(bào)價(jià)請(qǐng)以當(dāng)天為準(zhǔn)，歡迎聯(lián)系qq1668527835，電話13410018555?。?！
供應(yīng)型號(hào)：IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1
年份：最新21+
描述：通孔 N 通道 1200 V 55A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4-8
說明：英飛凌采用 TO247 4 引腳封裝的 SiC MOSFET 可降低柵極電路上的寄生源極電感效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度并提高效率。
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 55A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 54.4 毫歐 @ 19.3A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 8.3mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +20V，-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 227W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-8
封裝/外殼 TO-247-4
好處
最高效率
減少冷卻工作
更高頻率的操作
增加功率密度
降低系統(tǒng)復(fù)雜性
應(yīng)用
電池化成
電動(dòng)汽車快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
電源管理 (SMPS) - 參考設(shè)計(jì)
光伏能源系統(tǒng)解決方案
公司還收購英飛凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET，長(zhǎng)期高價(jià)回收各類電子呆料庫存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機(jī)IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動(dòng)IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲(chǔ)器、繼電器、MOS管、單片機(jī)、二三級(jí)管等產(chǎn)品。
回收具體流程：
1、您將積壓的IC/模組庫存進(jìn)行簡(jiǎn)單分類，確定型號(hào)、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等；
2、請(qǐng)將庫存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們?cè)u(píng)估團(tuán)隊(duì)；
3、等待公司專業(yè)人士的采購報(bào)價(jià)，達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付；
4、只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。
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