深圳市明佳達電子有限公司全新原裝推出英飛凌 F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊介紹這是一款第一代1200 V，33 mΩ EasyPACK? 1B CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊，帶NTC溫度傳感器，采用PressFIT壓接技術。特征描述出色封裝，高度達12
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝推出英飛凌 F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊
介紹
這是一款第一代1200 V，33 mΩ EasyPACK? 1B CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊，帶NTC溫度傳感器，采用PressFIT壓接技術。
特征描述
出色封裝，高度達12 mm
先進的寬禁帶（WBG）半導體材料
非常低的模塊雜散電感
增強的第一代CoolSiC? MOSFET
更大的柵極驅動電壓范圍
柵源電壓：+23 V和-10 V
工作結溫（Tvjop）：過載條件下高達175°C
PressFIT壓接引腳
集成了NTC溫度傳感器
優(yōu)勢
優(yōu)異的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢
提升系統(tǒng)效率
降低散熱需求
可實現(xiàn)更高的頻率
提高功率密度
應用領域
不間斷電源（UPS）
儲能系統(tǒng)
電動汽車快速充電
太陽能系統(tǒng)解決方案
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